Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe.

Nội dung tài liệu: Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe.

1. THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN TIẾN SĨ Tên luận án: Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe. Ngành: Khoa học vật liệu Mã số: 9440122 Nghiên cứu sinh: Nguyễn Thị Thu Hiền Người hướng dẫn khoa học: 1. PGS. TS. Nguyễn Duy Cường 2. TS. Nguyễn Hữu Dũng Cơ sở đào tạo: Trường Đại học Bách khoa Hà Nội TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN 1. Đã chế tạo được lớp màng ITO bằng phương pháp phún xạ và lớp màng nanocomposite AgNW/ITO bằng phương pháp phún xạ & kỹ thuật in gạt. Màng ITO có giá trị điện trở bề mặt là 17,6 Ω/ ; điện trở suất là 4,4.10-4 Ω.cm và độ truyền qua là 84,3% ở bước sóng 550 nm. Màng AgNW/ITO dày 1000 nm có điện trở bề mặt 13,5 Ω/ và độ truyền qua ~ 70 %. Màng ITO và AgNW/ITO thích hợp để làm lớp điện cực cửa sổ trong pin mặt trời CZTSSe. 2. Đã chế tạo được hạt nano CZTSe (Cu(Zn,Sn)Se2) có kích thước nhỏ hơn 30 nm và tỷ lệ Cu/(Zn+Sn) = 0,7 - 0,85 thấp bằng phương pháp phun nóng. 3. Đã chế tạo được lớp hấp thụ ánh sáng tạo từ hạt CZTSe bằng phương pháp in gạt. Lớp hấp thụ ánh sáng được xử lý 30 phút ở 500 °C, trong môi trường khí N2 và hơi Se thích hợp sử dụng trong chế tạo pin mặt trời CZTSe. 4. Đã thử nghiệm chế tạo pin mặt trời hoàn chỉnh với cấu trúc Al/ITO/ZnO/CdS/CZTSe/Mo/Glass. Kết quả tốt nhất cho hiệu suất chuyển đổi 2 η = 2,38 % JSC =21,96 mA/cm , VOC = 0,3 V, FF = 36,17%. Hà Nội, ngày tháng năm 2020 TM. Tập thể hướng dẫn Nghiên cứu sinh PGS. TS. Nguyễn Duy Cường Nguyễn Thị Thu Hiền